Реализация во входных каскадах малошумящих усилителей открыла новые возможности построения высокочувствительных радиоприемных устройств и повышения дальности действия радиолиний. Исходя из физических представлений о работе полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), рассмотрены основные источники их внутренних шумов и методы построения эквивалентных шумовых схем.
Построены эквивалентные шумовые схемы, включающие эквивалентные схемы идеальных нешумящих полупроводниковых приборов и генераторов шумовых токов и напряжений, подключенных к входным и выходным полюсам этих схем. Аналитически генераторы шумов выражаются через постоянные токи в исходном рабочем режиме и параметры приборов, измеренные или рассчитанные на внешних полюсах. На базе предложенных шумовых схем выводятся основные расчетные соотношения для определения коэффициента шума усилительных и преобразовательных каскадов на транзисторах и двухполюсниках с отрицательным сопротивлением. Исследованы основные зависимости коэффициента шума от частоты, обратной связи и режима работы каскадов. Даны рекомендации по выбору элементов схем.
Эквивалентные шумовые схемы и аналитический аппарат теории усилительных каскадов на двухполюсниках с отрицательным сопротивлением максимально приближены к схемам и аппарату, которые используются в теории современных усилителей. Это создает определенные удобства при систематизированном изучении и овладении расчета усилителей с различными усилительными приборами. Значительная часть полученных результатов подтверждена экспериментальными исследованиями.
