Источники шумов и эквивалентная шумовая схема полевого транзистора. В последние годы наряду с совершенствованием биполярных транзисторов значительное внимание уделяется разработке и применению полевых транзисторов, имеющих достаточно высокое входное сопротивление, линейную зависимость крутизны характеристики от управляющего напряжения и низкий уровень собственных шумов. Современные полевые транзисторы обладают также сравнительно высокой крутизной вольтамперной характеристики и вполне удовлетворительными высокочастотными свойствами.

Все это открывает широкие перспективы для применения полевых транзисторов в малошумящих каскадах усиления высокой и промежуточной частот. Полевой транзистор представляет собой активный полупроводниковый элемент, выходной ток которого управляется за счет модуляции толщины проводящего канала внешним электрическим полем.

В транзисторах переходом затвор отделен от канала обратно смещенным электронно-дырочным переходом, через который осуществляется управление плотностью носителей зарядов в канале; в МОП-транзисторах между затвором и каналом имеется тонкий изолирующий слой. Если в качестве диэлектрика выбран материал с высоким сопротивлением, то ток затвора может быть чрезвычайно малым и не зависящим от полярности приложенного к затвору напряжения.

С точки зрения принципа работы и причин возникновения собственных шумов оба типа транзисторов практически одинаковы. При анализе качественных показателей каскадов на полевых транзисторах последние, как и другие усилительные элементы (электронные лампы, биполярные транзисторы), заменяются эквивалентными схемами с сосредоточенными параметрами.

Одна из эквивалентных схем полевого транзистора с общим истоком, построенная на основании теоретического анализа его работы. Эта схема с достаточной высокой точностью описывает электрические свойства полевых транзисторов как с переходом, так и с изолированным затвором в широком диапазоне частот.