Эти сопротивления не превышают 10-20 Ом. Резисторы имеющие сопротивление около 30-50 Ом, учитывают сопротивление материала между каналом и выводами транзистора, т. е. сопротивление между реальной рабочей областью транзистора и его внешними выводами. Резистор и конденсатор образуют эквивалент дифференциального выходного сопротивления и дифференциальной выходной емкости транзистора.
Сопротивление резистора составляет 100-200 кОм, а емкость конденсатора не превышает 1 пФ. Усилительные свойства транзистора отражаются генератором тока, где S - крутизна характеристики внутреннего транзистора. Значение крутизны 5 современных полевых транзисторов лежит в пределах от I до 10 мА/В.
Зависимость генератора тока, от частоты определяется частотной зависимостью управляющего напряжения которое создается на входной емкости. Значение этой емкости лежит в пределах 5-10 пФ. Емкость С2 отражает уменьшение сопротивления внутренней обратной связи между стоком и затвором с ростом частоты. Емкость С2 обычно не превышает 0,1 - 1 пФ.
Очевидно, что эквивалентная схема, из-за своей сложности мало пригодна для инженерных расчетов. Поэтому, учитывая соотношения между параметрами элементов схемы, некоторыми из них без больших погрешностей в определенных участках диапазона рабочих частот можно пренебречь. Так, на достаточно высоких частотах для инженерных расчетов каскадов может использоваться упрощенная эквивалентная схема полевого транзистора.
Точность расчетов при этом будет определяться точностью, с которой известны значения элементов, входящих в эквивалентную схему. К сожалению, значения этих элементов не всегда известны. Поэтому на практике при расчетах линейных каскадов последнюю схему удобнее представить в виде активного линейного четырехполюсника и использовать систему F-параметров, измеренных на внешних полюсах транзистора, как при расчетах каскадов на биполярных транзисторах.
Измеренные значения У-параметров приводятся в справочной литературе в виде зависимостей их составляющих от частоты. Такие зависимости для современных высокочастотных полевых транзисторов КП301, КП302, КПЗОЗ и КП350 приведены в приложении 1. Составляющие F-параметров транзистора связаны с физическими параметрами схемы, следующими соотношениями.
