Влияние расстройки входного контура на коэффициент шума каскада на биполярном транзисторе. До сих пор при анализе выражений для коэффициента шума резонансных усилителей на биполярных транзисторах с ОЭ предполагалось, что входной контур усилителя настроен на среднюю частоту спектра усиливаемого сигнала. Указанное условие почти всегда имеет место на практике. Минимум коэффициента шума при этом обеспечивался выбором оптимального значения активной составляющей проводимости источника сигнала.

Однако, как видно из выражения и других, при настройке входного контура на среднюю частоту спектра усиливаемого сигнала не происходит полной компенсации реактивных составляющих коэффициентов пересчета шумовых токов (реактивных составляющих проводимостей транзистора), входящих в расчетные формулы, что обусловлено конечным сопротивлением потерь в области базы. Наличие нескомпепсированных реактивных составляющих проводимостей транзистора приводит к увеличению минимального значения коэффициента шума каскада, что видно из соотношений.

В связи с этим представляет интерес рассмотреть возможность минимизации коэффициента шума каскада резонансного усилителя на биполярном транзисторе путем одновременного выбора оптимального значения активной проводимости источника сигнала И соответствующей расстройки входного контура.
Напомним, что выражение справедливо при любом способе включения биполярного транзистора в схему каскада. Следовательно, выводы, полученные ниже, будут являться общими для всех каскадов на биполярных транзисторах.

Оптимальные значения активной составляющей проводимости источника сигнала и реактивной составляющей, при которых коэффициент шума каскада достигает минимального значения, могут быть найдены из решения следующей системы уравнений. Выражение для минимального значения коэффициента шума каскада резонансного усилителя, как и ранее, можно записать в виде.