Источники шумов и эквивалентная шумовая схема полупроводникового диода. Полупроводниковый диод представляет собой двухэлектродный прибор, образованный переходом между двумя областями в полупроводнике, обладающими разными электрофизическими свойствами. В качестве полупроводниковых материалов применяются кремний, германий, арсенид галлия, антимонид индия и другие интерметаллические соединения элементов. Указанные -материалы применяются как в чистом виде, так и со специально вводимыми легирующими примесями.

В качестве примесей используются олово, цинк, сурьма, мышьяк, индий, фосфор, галлий, алюминий и др. Большое разнообразие полупроводниковых материалов и примесей, применяющихся в полупроводниковых диодах, различия в технологии их производства, а также степень концентрации примесей в области переходов приводят к различиям в механизме образования тока и в формах вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

Так, например, протекание тока в диодах типа металл- полупроводник (диод с барьером Шоттки) обусловлен диффузионным процессом; ток в диодах с переходом протекает благодаря инжекции неосновных носителей в базовую область и их последующей диффузии и рекомбинации; в туннельных диодах ток протекает вследствие квантово-механического эффекта туннельного прохождения электронов сквозь потенциальный барьер из валентной зоны в зону проводимости, и наоборот. Однако во всех случаях можно считать, что ток полупроводникового диода образуется за счет прохождения носителей через потенциальные барьеры.

Поскольку при этом носители образуют последовательность независимых случайных событий, то постоянный ток диода испытывает флуктуации, подобные флуктуациям анодного тока в электронных лампах из-за случайного характера вылета электронов с катода. Такие флуктуации носят название дробовых шумов и выражаются известной формулой Шоттки. Таким образом, одним из источников шумов полупроводникового диода являются дробовые шумы, обусловленные случайным характером движения носителей через переход.