Эквивалентная шумовая схема биполярного транзистора с общей базой. В транзисторных радиоприемниках в большинстве случаев для усиления напряжения радиочастоты используются каскады с ОЭ, обладающие сравнительно большими входным сопротивлением и коэффициентом усиления мощности сигнала. В отдельных случаях может оказаться целесообразным применение схемы с общей базой (ОБ), которая на достаточно высоких частотах (для данного типа транзистора) обеспечивает почти такое же усиление напряжения, как и схема с ОЭ, но при более высокой устойчивости каскада.

Кроме того, в усилителях радиочастоты, как и в усилителях промежуточной частоты, находят широкое применение схемы с каскадным включением биполярных транзисторов, причем на достаточно высоких частотах наиболее эффективным является каскадный усилитель, первый транзистор которого включен по схеме с ОЭ, а второй - по схеме с ОБ (ОЭ-ОБ). При анализе шумовых свойств таких усилителей необходимо знание шумовой схемы транзистора, включенного с ОБ.

Эквивалентную шумовую схему транзистора с ОБ можно получить путем преобразований, аналогичных тем, которые были рассмотрены в предыдущем параграфе при построении эквивалентной шумовой схемы транзистора с ОЭ. Однако проще воспользоваться уже полученной выше эквивалентной схемой транзистора с ОЭ.

Активный линейный четырехполюсник с двумя генераторами тока, очевидно, может представлять собой также схему замещения транзистора с ОБ, если в нем заменить У-параметры, описывающие транзистор с ОЭ, на параметры транзистора с ОБ и поменять местами обозначения полюсов Э и Б. Связь между У-параметрами для различных схем включения транзисторов определяется известными формулами перехода. Точки при соединения генераторов шумов, а также положительные направления напряжений и токов при этом должны соответствовать схеме.