Наибольшее влияние оказывает вывод транзистора, являющийся общим для входа и выхода каскада, так как индуктивность этого вывода представляет собой элемент обратной связи; остальные два вывода транзистора, один из которых подключен к входному, а второй к выходному контурам каскада, могут быть отнесены к этим контурам и учтены при их настройке.
В частности, в схеме включения биполярного транзистора с ОЭ элементом обратной связи является индуктивность эмиттерного вывода. В диапазоне сверхвысоких частот эта индуктивность оказывает влияние на входную проводимость и проводимость прямой передачи, а следовательно, и на коэффициент шума каскада.
Для учета влияния индуктивности эмиттерного вывода на коэффициент шума каскада целесообразно отнести эту индуктивность к транзистору, т. е. определить У-параметры транзистора с учетом индуктивности эмиттерного вывода. Эквивалентная схема транзистора при этом будет иметь вид. Используя эту схему, нетрудно по известной методике определить параметры транзистора на внешних полюсах 1*-1* и 2*-2*.
В общем случае выражения для параметров схемы получаются довольно громоздкими. Однако для современных транзисторов при основном способе их включения (ОЭ) в рабочей области частот практически всегда выполняются неравенства поэтому без больших погрешностей параметры транзистора с учетом индуктивности общего вывода можно выразить через У-параметры схемы, следующими приближенными соотношениями.
Подставляя соответствующие значения параметров в формулы для коэффициента шума вместо фигурирующих в них У-параметров без учета индуктивности эмиттерного вывода можно оценить влияние этой индуктивности на коэффициент шума каскада. Оценим влияние индуктивности эмиттерного вывода на коэффициент шума каскада на биполярном транзисторе с ОЭ.
